製造商產品編號:
TSM60NB099PW C1G
Product Overview
製造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
零件編號:
TSM60NB099PW C1G-DG
描述:
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
详细描述:
N-Channel 600 V 38A (Tc) 329W (Tc) Through Hole TO-247
庫存:
2055 全新原裝現貨
12895733
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TSM60NB099PW C1G 技術規格
類別
場效應晶體管, 金屬氧化物半導體場效應晶體管, 單個FET，MOSFET
製造商
Taiwan Semiconductor
包裝
Tube
系列
-
產品狀態
Obsolete
FET 類型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源電壓 （Vdss）
600 V
電流 - 連續漏極 （Id） @ 25°C
38A (Tc)
驅動電壓（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
99mOhm @ 11.7A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4V @ 250µA
柵極電荷 （Qg） （Max） @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
輸入電容 （Ciss） （Max） @ Vds
2587 pF @ 100 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
329W (Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型
Through Hole
供應商設備包
TO-247
包裝 / 外殼
TO-247-3
基本產品編號
TSM60
資料表及文件
數據表
額外資訊
標準套餐
25
其他名稱
TSM60NB099PWC1G
TSM60NB099PW C1G-DG
-2068-TSM60NB099PWC1G
環境及出口分類
RoHS 狀態
ROHS3 Compliant
濕氣敏感度等級 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 狀態
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
替代模型
部件編號
TSM60NB099PW
製造商
Taiwan Semiconductor Corporation
可用數量
0
部件號碼
TSM60NB099PW-DG
單位價格
8.01
替代類型
Parametric Equivalent
DIGI 認證
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